SK Hynix представи най-новата си технология 4D NAND на изложението FMS

SK Hynix представи най-новата си технология 4D NAND на изложението FMS

В раздел: Новини от на 13.08.2018, 1,038 показвания


Докато 3D NAND технологията революционизира съхранението на данни, като увеличи обема на съхранение, използвайки вертикална структура на кристала изградена от множество слоеве, SK Hynix се опитват да отидат на 4D NAND, което определено е малко далеч от реалността. Независимо от гръмкото маркетингово наименование, което са избрали от компанията, това което се крие зад “новаторството” на тази технология вероятно е по-близо до познатата технология CuA на Micron и Intel.

Дизайнът на новата флаш памет на SK Hynix използва технология, подобна на CTF (Charge Trap Flash), продукт от партньорството на Samsung, Western Digital и Toshiba. Като се има предвид, че SK Hynix използва CTF памет от няколко години, това означава, че това наистина не е нещо ново, защото в момента Micron и Intel са единствените две компании, които използват конвенционалната технология с плаващ гейт. Даже и това ще се промени, защото в дългосрочен план Intel и Micron планират да разделят начина си на партньорство при разработването на флаш памет. За следващото си поколение флаш чипове Micron ще използва собствената си технология Replacement Gate, която не е нищо друго освен ребрандирана технология CTF, което на практика означава, че през следващата година Intel ще бъде последната компания използваща конвенционалната технология с плаващ гейт.

Нека да се върнем на 4D NAND паметта на SK Hynix. Компанията твърди, че сравнена с другите 3D NAND продукти, дизайнът на CTF е съчетан с технологията Periphery Under Cell (PUC). По същество, 3D флаш паметта се състои от две основни части: масив и неговата управляваща периферия, които очертават краищата на матрицата. Колкото повече NAND слоеве се добавят, толкова повече се увеличава сложността на схемата за контрол на масива и размера и, като поглъща повече пространство от кристала.

Начинът на SK Hynix за справяне с този проблем е 4D NAND. Тази технология използва същия PUC дизайн, който позиционира схемата за управление под масива, вместо около нея. Целта е това да увеличи плътността и да намали разходите. Въпреки това този дизайн сме го виждали вече при Intel и Micron при първото им представяне на 3D Flash паметта им, независимо, че те са го кръстили ​CMOS under Array (CuA). Samsung също посочи, че ще използват подобен дизайн в бъдеще, затова за съжаление, това не е истински новаторски процес.

 

 

Пътната карта изглежда доста впечатляваща, но от маркетингова гледна точка, тъй като изображенията сами разказват цялата тази история.

По материал на Wccftech






Етикети: , , , , , , ,


2 коментара

  1. 1 Гого // 13.08.2018 в 12:46

    Не е ли поне 6D, не ми го хвали. Ориентацията в пространството иска 6 отправни точки, поне за постигане на начално ниво точност на местоположението на обект, направление, или точка от траектория.

  2. 2 Гого // 20.08.2018 в 11:35

    Аууу, как можахте да пуснете спамът от 4 “коментара” на тоя дрогадилър! Не Ви е срам!

Коментари: