Intel има готовност за производство на вградена MRAM

Intel има готовност за производство на вградена MRAM

В раздел: Новини от на 21.02.2019, 1,908 показвания

EETimes съобщават, че Intel е готов за производство на големи обеми продукти с вградена 22 nm FinFET базирана MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory). Технологията MRAM е енергонезависима памет, което означава, че запазва информация, дори при прекъсване на захранването. Погледнато от ъгъла на днешните разбирания, тази технология е по-близо до устройство за съхранение на данни, отколкото до RAM памет.

Вградената MRAM памет се счита за обещаваща технология за приложени, като например в SoC чиповете предназначени за “интернет на нещата” (IoT). Погледнато по-общо, MRAM се развива като универсално, дългосрочно решение за памет, заменяйки както DRAM, така и NAND Flash паметта, тъй като мащабирането на възлите (Node), към все по-малки размери, с тези технологии става все по-трудно. MRAM обещава по-добро мащабиране на литографско ниво, с много по-високи нива на добив. Официален експеримент показва, че MRAM е в състояние да постигне 1 ns време за достъп, което е по-добро от понастоящем приетите теоретични ограничения за DRAM. Също така има несравнимо по-високи скорости на запис в сравнение с NAND flash паметта и консумацията много по-ниска от DRAM.


Инженерът Лигьонг Вей от Intel, който във вторник направи презентацията каза, че MRAM със своите текущи производствени характеристики дава възможност за 10-годишно съхранение на данните при 200 ° C и има работен ресурс по-голям от 10Е6 записващи цикъла и вероятност за грешката по-малка от 1Е12 цикъла. В допълнение към високата издръжливост, 22 нанометровата вградена MRAM технология може да се похвали и със стабилни високи добиви – 99.9%. Въпреки това, производството на устройствата изискват блокове за корекция на грешките, което ще увеличи размера и консумацията на дизайна.

Източник: ЕЕ Times






Етикети: , ,


7 коментара

  1. 1 Nichi // 22.02.2019 в 09:21

    Какво означава 1Е06 записващи цикъла, това е само един милион. Нещо друго сигурно се има предвид.

  2. 2 Гого // 22.02.2019 в 10:20

    https://static.techspot.com/images2/news/bigimage/2019/02/2019-02-21-image-2.png
    Според сегашните възможности на Интел МRАМ, искат да го позиционират между оперативната памет и досегашните L-кешове. Досегашните L-кешоне, са от SRAM клетки L1-L3 и е-DRAM за L4. Това къде ще го слагат? Нещо като L5 ли? Поредният посредник на пътя на данните. Какво печелим – нищо. Какво губим, повече пари, щото никой няма да ти прибави нещо безплатно, повече латентност.

  3. 3 Denislav Slavchev (acdc) // 22.02.2019 в 11:53

    @Nichi Точно така. Това е – 10^6

  4. 4 flashko // 23.02.2019 в 12:08

    Тази памет я виждам като заместник на FLASH паметта в микроконтролерите. Това има логика особено като се вземе предвид, че Intel се включиха с техен продукт в платформата Arduino.

  5. 5 Nichi // 25.02.2019 в 10:01

    E, значи все още не може да се използва вместо DRAM, ако има само толкова живот. Но вместо флаш става.
    Еми, кой знае, може един ден да е ХДД и рам на едно.

  6. 6 Any // 25.02.2019 в 21:48

    “Ти глей ко стаа”, ако съумеят да го пробутат за РАМ.
    “Технологията MRAM е енергонезависима памет, което означава, че запазва информация, дори при прекъсване на захранването.”
    Краденето на класифицирана/лична/важна информация ще може да става дори и при изключен компютър. Чопнат ти компа, прочетат какво има в енергонезависимия РАМ и пей сърчице!
    Не, благодаря!

  7. 7 merlinofchaos // 03.03.2019 в 08:44

    Ми те са си го написали, че това е технология за SOC чипове. С други думи освен всичките входно-изходни интерфейси ще набият в чипа и харддиска. Приложението му е по-скоро за рутари, NAS-ове, телевизори и т.н., където 4-32MB са достатъчни за софтуера на устройството…

Коментари: