Ако информацията за появата на смартфон Samsung Galaxy S10+ с 12GB RAM и 1 TB „дисково пространство“ за съхранение на данни ви е накарало да се зачудите как точно ще бъде постигнато, и по-специално що се отнася до тези 1024 GB място за потребителски данни – отговорът е много лесен. На Samsung не им се налага да чакат някой да им произведе подобен чип – те го правят собственоръчно.
Факт е, че смартфоните нямат много място за помещаване на безброй чипове памет, както е например случая при SSD-тата и PCB с поне 8 позиции за NAND Flash. При смартфоните тази позиция е само една, поради което Samsung ще я заемат с един NAND Flash, дори и при 1TB модел на Galaxy S10. Как точно – много просто, чрез един-единствен NAND Flash eUFS 2.1, предлагащ нужният капацитет.
Чипът е с размери 11.5мм х 13мм и освен дооста сносният си капацитет предлага и много прилични скорости на трансфер на данни – 1000 MB/s при четене и 260 MB/s при запис. Обърнете внимание, че става дума за само един модул, предлагащ тези скорости на трансфер, а не за 4-6-8 (колкото са оеобходими при SSD с цел постигане не само на капацитет, но и на скорости на трансфер).
Очакванията на Samsung са през следващите 1-2 години да е налице сериозно търсене към този нов 1TB чип от много производители на преносими устройства.
