Според публикация на Nikkei, TSMC работи върху нова усъвършенствана технология, която използва правоъгълни панелни субстрати, вместо традиционните кръгли „вафли“. Този нов подход би позволил разполагането на повече чипове върху един субстрат. Съобщава се, че TSMC експериментира с правоъгълни субстрати с размери 515 mm на 510 mm, осигуряващи повече от три пъти по-голяма използваема площ в сравнение с настоящите 12-инчови „вафли“. Използването на „вафла“ с правоъгълна форма може потенциално да елиминира по-голямата част от непълните чипове, намиращи се по ръбовете на сегашните кръгли пластини. Въпреки че това може да звучи просто, всъщност ще изисква радикална промяна на целия производствен процес.
Въпреки че изследването все още е в ранен етап и може да отнеме няколко години, за да достигне масово производство, то представлява голяма технологична промяна за TSMC. Това развитие може потенциално да даде предимство на TSMC при посрещане на бъдещите изисквания за чипове, но Intel и Samsung също тестват този нов подход.
Източник: Techpowerup
