По време на Tech Day 2021 на Samsung, компанията представи някои интересни виждания за бъдещето на технологиите за оперативна памет и как планира своето производство. Започвайки с най-новия стандарт DDR5, компанията възнамерява да следва документите на JEDEC, но и да предлага някои модули за овърклок, които надвишават JEDEC спецификацията. Докато стандартът DDR5 регламентира модули памет с 6400 MT/s, Samsung ще разработи модули, способни да се овърклокват до 8400 MT/s. Разбира се, те още не са потвърдени, тъй като са във фаза на разработка. Въпреки това можем да очакваме да ги видим в по-късния етап от жизнения цикъл на DDR5 паметта.
Компанията говори и за стандарта DDR6, който уж трябва да удвои производителността на DDR5. Новият стандарт DDR6 все още е в ранна разработка и всичко, което знаем досега, е, че броят на каналите на паметта на модул се увеличава двукратно спрямо DDR5 до четири канала. Броят на банките памет също се увеличава до 64. В допълнение към DDR6 за настолно и сървърно приложение, компанията работи и върху Low Power DDR6 (LPDDR6) за мобилни приложения. Докато LPDDR5 паметта на компанията влиза в масово производство в началото на 2022 г., LPDDR6 все още е в ранна разработка. Твърди се, че базовата скорост за DDR6 модулите ще достигне 12 800 MT/s, докато модулите за овърклок ще се донесат скорости до 17 000 MT/s. Мобилно ориентираната версия LPDDR6 също трябва да се предлага със скорости до 17 000 MT/s.
След това Samsung говори за своите предложения за графична памет, където GDDR и HBM влизат в играта. Новият GDDR стандарт, който трябва да пристигне, е GDDR6+, който увеличава скоростта от 18 000 MT/s на 24 000 MT/s. Изборът на технологичен възел за GDDR6+ е 1z nm и корейският гигант иска да започне производството на тези модули този месец.
Пътните карти на компанията показват, че стандартът GDDR7 ще замени GDDR6+ и ще предложи скорости от 32 000 MT/s. С GDDR7 ще има и нова функция, наречена „функция за защита от грешки в реално време“, за която все още няма нищо известно. Предполага се, че това е някаква форма на ECC за GDDR или нещо подобно. Предстои да видим.
В допълнение, компанията спомена също, че нейната HBM3 памет ще бъде готова за масово производство през второто тримесечие на 2022 г. и ще предлага скорост от 800 GB/s. Тази памет ще е насочена главно към AI приложения и Samsung работи с партньорите си за оборудване на нови решения с HBM3.
Източник: Techpowerup
Сега остава саме да кажат, че ще ни продадат всичко това ефтинко и съм с две ръце ЗА ;-)
Да се надяваме, че след като най-после пуснаха поредната доза за нещата, които сме щели да получим все някога в бъдещето, да се напнат и да си свършат днешната, че и вчерашната работа и да наваксат изоставанията си, че конкуренцията не спи и ги превари.
Че каква конкуренция имат Самсунг, те напълно са затворили кръга и не им трябва никой за разлика от другите „големи“