Съвсем скоро, в рамките на първото полугодие на 2023 година, корейците от Samsung ще започнат да произвеждат чипове по третата си генерация 4nm технологичен процес, който включва конкретни подобрения не само по енергийната ефективност и производителността на готовите продукти, но и коригира един от най-големите проблеми при 4nm Samsung – процентът годни за употреба чипове от една силициева заготовка.
Както вече е известно, Snapdragon 8+ Gen1 бе предоставен за произвдство на TSMC, вместо на Samsung (които произвеждаха Snapdragon 8 Gen1) именно заради ниските нива на „добив“ (както и по-лошата енергийна ефективност на SoC-а), които по онова време не надхвърляха 20-30%, на фона на двойно по-добрият добив при TSMC. Американците от Qualcomm се принудиха да сменят производителя и ето, че SD8+G1 започна и все още продължава да се създава от фабриките на TSMC. Освен него, и SD8G2 също е създаден върху 4nm TSMC.
И ако 2-рата генерация на 4nm Samsung достига нива на годни за употреба чипове от около 60%, това е видимо под „възможностите“ на TSMC – около 80%. Новата 3-та генерация 4nm Samsung би трябвало да доближи, ако не да изравни TSMC именно по този показател, в комбинация с подобрената енергийна ефективност и производителност.
