Според публикация на южнокорейската медия Hankyung, Samsung Electronics ще започне масово производство на своето 9-то поколение V-NAND памет по-късно този месец. Новото поколение 3D NAND чипове памет на компанията ще разполага с 290 активни слоя, което едва ли е значително увеличение от 236 слоя, но това носи със себе си съществена промяна в начина, по който се правят тези флаш чипове.
Все пак тази публикация за 9-то поколение 290-слойна V-NAND памет противоречи на официалните планове на Samsung за въвеждане на 3D NAND памет с над 300 слоя през 2024 г., така че тази информация трябва да се приема с известна доза съмнение. Междувременно е възможно Samsung да е решила да намали броя на активните слоеве в своята V-NAND памет, за да подобри добивите. Увеличаването на добивите за сметка на площната плътност може да бъде добър начин за компанията да намали разходите за някои от най-добрите SSD, които прави, особено устройствата за масови и евтини системи.
Ключова характеристика на V-NAND от 9-то поколение на Samsung с 290 активни слоят е производствената техника за подреждане на низове. Производствените процеси, използващи тази техника, включват изграждане на CMOS слой с логика, след това 145-слоен 3D NAND масив от памет отгоре и след това друг 145-слой 3D NAND флаш над това. Въпреки че тази производствена техника е сложна, тя е готова да увеличи добивите за продукти с 3D NAND памет съдържащи стотици слоеве, тъй като е по-лесно да се изградят два 145-слойни 3D NAND масива, отколкото един 290-слоен 3D NAND масив.
В крайна сметка, увеличеният брой слоеве трябва да позволи на Samsung да увеличи площната плътност на запис на своите 3D NAND чипове. Увеличаването на плътността на 3D-NAND е основна цел за всички производители на NAND памет, тъй като търсенето на флаш продукти в индустрията нараства. Увеличаването на броя на слоевете в 3D NAND устройствата също повишава ефективността на производството. Обикновено производителите на 3D NAND памет са склонни да увеличават значително броя на слоевете с всеки нов възел. Това обаче може да не е случаят с 9-то поколение V-NAND на Samsung с 290 слоя, тъй като вероятно ще се използва предимно за усвояване на техниката за подреждане на низове при масово производство. Освен това е възможно с 9-то поколение V-NAND Samsung да се съсредоточи повече върху типа памет 3D QLC NAND.
Гледайки напред, Samsung има амбициозни планове за поддържане на позицията си на пазара на 3D NAND флаш памет, чрез въвеждане на 3D NAND чипове с още по-голям брой слоеве. Също според публикацията се казва, че след пускането на 290-слойния V9, компанията възнамерява да пусне 430-слоен V-NAND от 10-то поколение през втората половина на 2025 г. Тази информация се потвърждава от миналогодишната публикация в медията Blocks & Files.
Междувременно другите играчи в индустрията не стоят със скръстени ръце. SK hynix се подготвя да произведе 321-слоен NAND до началото на следващата година, докато YMTC в Китай планира да произведе 300-слойни продукти до втората половина на 2024 г., се сочи в публикацията.
Източник: Tomshardware
