Преди няколко месеца разгледахме доказателство за овърклок на стандартно 2,5-инчово SATA III NAND Flash SSD устройство благодарение на Габриел Фераз, компютърен инженер и поддържащ SSD базата данни на TechPowerUp. Сега той показва друг също толкова интересен проект за модифициране на Quad-Level Cell (QLC) SATA III SSD в Single-Level Cell (SLC) SATA III SSD. Използвайки Crucial BX500 512 GB SSD, той иска да трансформира QLC устройството в по-издръжливото и по-високопроизводително SLC. Устройството използва контролера Silicon Motion SM2259XT2, базиран на едноядрен ARC 32-битов процесор с тактова честота 550 MHz и два канала, работещи на 800 MT/s (400 MHz) без DRAM кеш. Този конкретен SSD използва четири NAND флаш чипа на Micron (по два за всеки канал), с продуктов номер NY240. Тези NAND флаш чипове са проектирани да работят с 1600 MT/s (800 MHz), но реално в това SSD устройство са ограничени само до 525 MT/s.
Средната издръжливост (работен ресурс) на тези устройства е 1500 P/E цикъла при FortisFlash NAND и около 900 P/E цикъла при Media-grade. Трансформирането на същото устройство в pSLC увеличава тези числа съответно до 100 000 и 60 000. Да се накара това да работи обаче е трудната част. За да постигнете това, трябва да изтеглите MPtools за контролера Silicon Motion SM2259XT2 от уебсайта USBdev.ru и да определите правилните NAND чипове, използвани в SSD. След това софтуерът се модифицира внимателно, за да позволи SLC режим, който принуждава чиповете да работи като SLC NAND Flash памет. Накрая трябва да се достигне и папката на фърмуера и файловете трябва да се преместят, което се вижда във видеото.
Когато устройството се включи, капацитетът намалява от 512 GB на 114-120 GB. Издръжливостта на SSD обаче скача до 4000 TBW (цикли на запис), което е около 3000% увеличение. Освен това, производителността също се увеличи, което можете да проверите по-долу и в оригиналното видео за повече подробности.
Източник: Techpowerup
Капацитета пада 5 пъти бря -от 512 GB на 120 GB 80% от клетките минават в режим сън, a издръжливостта скача до 4000 TBW цикли на запис смо насън- (НЕДОКАЗАНО),щото се отключва презапис до откат в 120GBклетките,а целият останал каацитет 4/5 размера се използва ексклузивно Гьотере за постоянен Редунданс 4ек и земестване на повредените клетки в тоз oгромен120GB хард , който вече дори инсталационите файлове на Howgwarts Legac не може да побере /те са 200GB/ Все едно да си купиш F35 и да го модифицираш в Дрон да ти носи тухли.
Така назовалият се „Техник“ трябва да разбере първо какво представлява ССД-то и как работи то за да се опитва да го коментира. Да кажем, че паметта работи с напрежение 1 волт за да са ни по-лесни сметките (по-важното е да се разбере принципа на работа).
SLC – в една клетка пази един бит (0 или 1) – всяка клетка с напрежение по-малко от 0,5 волта има стойност 0 и по-голяма от 0,5 волта 1 (два варианта)
MLC – в една клетка пази два бита (00, 01, 10, 11) от 0 до 0,25 – 00 , от 0,25 до 0,5 – 01 , от 0,5 до 0,75 – 10 и от 0,75 до 1 волт – 11 (четири варианта)
TLC – в една клетка пази три бита (000 , 001, 010, 011 …. 111) почваш на 8-минки да делиш напрежението ( 8 варианта)
QLC – в една клетка пази 4 бита (0000, 0001, 0010, 0011, … 1111) тука вече е на 16-десетинки (16 варианта)
Определен брой клетки пазещи 4 бита дават обем 512 ГБ
Същият брой клетки пазещи по 1 бит дават 4 пъти по-малък обем.
Откъде идва скоростта. За да се „зареди“ клетката със стойност между 0,5 и 1 волта подаденият електрически импулс е много-по кратък за SLC отколкото при QLC понеже колкото точно е заряда – 0,6 , 0,7 , 0,8 …. няма никакво значение. Когато обаче за QLC трябва да се запише стойност и там напрежението трябва да е между 0 и 0,0625 иначе просто стойността ще е друга приложеният електрически импулс е много по-дълъг като време за да се гарантира точността на записа. Поради конструкцията на „клетката“ при прилагането на този импулс се получават микро пукнатини в изолационният материал и с течение на времето когато се свържат тези пукнатини в канали, зареденият заряд в клетката изтича като ток на утечка и в клетката не може повече да се „записва“ стойност. Клетката е повредена. Животът на клетката е колко време ще се подава висок заряд на клетката. Множество кратки импулси или малко да брой продължителни импулси. Затова SLC е бързо и издръжливо , но скъпо за обема си , докато QLC е евтино , но бавно и с по-малък живот и за да е по-приемливо внасянето на функцията SLC кеш за да се тушира донякъде бавната скорост при ежедневна ненатоварена дейност.
Отделен е въпроса, че реално нищо не получаваш понеже скоростта не се увеличава драстично а с малко , а като издръжливост устройствата са толко евтени сравнени с инжинерният труд за преработката че по-скоро да покажем че може , а не че на някой му трябва.