Японският професор Цумору Шинтаке (Tsumoru Shintake) от Института за наука и технологии на Окинава (OIST) представи революционна технология за екстремна ултравиолетова литография (EUV), която обещава значително да намали разходите за производство на полупроводници. Новата технология се справя с два досега непреодолими проблема в EUV литографията. Първо, той въвежда рационализирана оптична прожекционна система, използваща само две огледала, драматично опростяване от конвенционалните шест или повече. Второ, той използва нов метод на „двулинейно поле“ („dual line field“) за ефективно насочване на EUV светлина върху фото маската, без да пречи на оптичния път. Дизайнът на проф. Шинтаке предлага значителни предимства пред настоящите EUV литографски машини. Може да работи с по-малки EUV светлинни източници, консумирайки по-малко от една десета от мощността, необходима на конвенционалните системи. Това намаляване на потреблението на електроенергия също намалява оперативните разходи (OpEx), които обикновено са високи в съоръженията за производство на полупроводници.
Опростеният дизайн с две огледала също обещава подобрена стабилност и поддръжка. Докато традиционните EUV системи често изискват над 1 мегават мощност, моделът OIST може да постигне сравними резултати само със 100 киловата. Въпреки своята простота, системата поддържа висок контраст и намалява 3D ефектите на маската, което е от решаващо значение за постигане на нанометрова точност при производството на полупроводници. OIST е подал заявка за патент за тази технология с планове за практическо прилагане чрез демонстрационни експерименти. Глобалният пазар на EUV литография се очаква да нарасне от $8,9 милиарда през 2024 г. до $17,4 милиарда до 2030 г., когато се очаква повечето технологични възли да използват EUV скенери.
За сравнение, единичният EUV скенер на ASML може да струва до $380 милиона без OpEx, което е много високо заради консумацията на енергия от високоенергийни излъчватели на UV светлина. Обикновените EUV скенери също губят 40% от ултравиолетовата светлина, отивайки към следващото огледало, като само 1% от енергията на първичния светлинен източник достига до силициевата пластина. И това при консумация на над един мегават мощност.
В противовес на това с предложената евтина EUV система, повече от 10% от енергията достига до пластината и се очаква новата система да използва по-малко от 100 киловата мощност, като същевременно носи разходи от по-малко от 100 милиона, тоест една трета от цената на флагмана на ASML.
Източник: Tomshardware
