TechInsights и SemiWiki публикуваха важни подробности, които Intel и TSMC разкриха за предстоящите си 18A (клас 1.8nm) и N2 (клас 2nm) технологии на международната конференция за електронни устройства (IEDM). Според TechInsights 18A на Intel може да предложи по-висока производителност, докато N2 на TSMC може да осигури по-висока плътност на транзисторите.
Анализаторите от TechInsights смята, че N2 на TSMC предлага по-висока плътност (HD) на стандартните клетки от 313 MTr/mm^2, което далеч надхвърля плътността на HD клетките на 18A на Intel (238 MTr/mm^2) и SF2/SF3P на Samsung (231 MTr/mm^2). Докато информацията повече, или по-малко съвпада с размерите на клетките на SRAM за 18A, N2 и N3, както и с очакванията на TSMC за N2 и N3, има някои неща, които трябва да се отбележат.
Първо, това се отнася само за HD стандартни клетки. На практика всички съвременни високопроизводителни процесори, които разчитат на водещите технологични възли, използват комбинация от стандартни клетки с висока плътност (HD), висока производителност (HP) и нискоенергийни (LP), да не говорим за възможности като FinFlex и NanoFlex на TSMC.
Второ, не е ясно как се сравняват стандартните HP и LP клетки на Intel и TSMC. Въпреки че е логично да се предположи, че N2 има преимущество в плътността на транзистора, то може да не е толкова голямо в стандартните HD клетки. Трето, в своите доклади, представени на събитието IEDM, както Intel, така и TSMC разкриха предимствата на производителността, мощността и плътността на транзисторите на техните производствени процеси от следващо поколение 18A и N2 спрямо техните предшественици. Все пак понастоящем няма начин да се сравнят директно тези две технологии за производство.
Що се отнася до производителността, TechInsights смята, че 18A на Intel ще има преднина пред N2 на TSMC и SF2 на Samsung (преди известен като SF3P). Въпреки това, TechInsights използва спорен метод за сравняване на производителността на предстоящите технологични възли, тъй като използва N16FF на TSMC и 14nm процес на Samsung като базови линии и след това добавя обявени подобрения на производителността от възел до възел от двете компании, за да направи своята прогноза. Въпреки че това може да служи като приблизителна оценка, може да не е много точно.
От друга страна, Intel се специализира в производството на високопроизводителни процесори, така че 18A може да бъде пригоден за производителност и енергийна ефективност, а не за HD транзисторна плътност. В края на краищата 18A поддържа задна мрежа за захранване PowerVia и чиповете, които я използват, може да имат предимства в производителността и плътността на транзисторите пред N2 на TSMC, който не поддържа тази възможност. Това обаче не означава, че всеки 18A чип ще използва PowerVia.
Що се отнася до мощността, анализаторите на TechInsights предполагат, че N2-базиран чип ще консумира по-малко енергия от подобна SF2-базирана IC, тъй като TSMC обикновено води в енергийната ефективност през последните години. Що се отнася до Intel, остава да видим, но 18A може да осигури предимство в тази област.
Има няколко други неща, които трябва да се отбележат. 18A на Intel е предвиден да влезе в масово производство в средата на годината (2025 г.), когато Intel започне производството на своите процесори серия Core Ultra „Panther Lake“, които ще бъдат налични малко по-късно през годината. За разлика от това, N2 на TSMC е планиран за производство в голям обем в края на 2025 г. и първите продукти, произведени по този технологичен възел, няма да бъдат налични най-малко до средата на 2026 г., като продуктите за масовия пазар се очакват през есента на 2026 г. Samsung не разкрива кога точно неговият SF2 влиза в HVM, като само посочва „2025 г.“, което може да означава по всяко време от първо до четвърто тримесечие на тази година.
Източник: Tomshardware
