Полупроводниковата индустрия официално ускори разработването на памети от следващо поколение, като стандартът DDR6 ще се появи скоро. Въпреки че ентусиастите няма да намерят тези модули налични до 2027 г., ключови играчи, Samsung, Micron и SK Hynix, вече са преминали през етапите на прототипи и са започнали строги цикли на валидиране. В партньорство с Intel, AMD и NVIDIA, те се стремят към начална пропускателна способност от 8800 MT/s, с планове за увеличаване до изумителните 17 600 MT/s, което почти удвоява тавана на днешната DDR5. Това увеличение се дължи на 4×24-битовата субканална архитектура на DDR6, която изисква изцяло нови подходи за интегритета на сигнала. Освен това, тя се различава и от настоящата 2×32-битова субканална структура на DDR5. За да преодолее физическите ограничения, с които се сблъскват DIMM форматите при по-високи скорости, индустрията залага на CAMM2. Ранните индикации са, че сървърните платформи ще са първи във въвеждането на DDR6, като високия клас лаптопи ще последват примера им, след като производството се увеличи.
Вече се планират сроковете – валидирането на платформата е планирано за 2026 г., внедряването на сървъри през 2027 г. и по-широката наличност за потребителите след това. Анализаторите прогнозират, че архитектурният скок на DDR6 може да се ускори в средите с изкуствен интелект и високопроизводителни изчисления. Разбира се, най-съвременните технологии идват с „премия“ – очаква се първоначалните DDR6 модули да имат цени, напомнящи за дебюта на DDR5 през 2021 г., което потенциално редуцира ранното приемане до хипермащабни центрове за данни и изследователски лаборатории с изкуствен интелект. Разбира се, с апетита на HPC и изкуствения интелект за честотна лента, производителите на памет се стремят към пускане на пазара възможно най-скоро, за да задоволят този „глад“. До 2027 г. модулите, базирани на CAMM2, работещи със скорости на DDR6, може би ще дефинират новия стандарт за високопроизводителни системи.
Източник: Techpowerup
