Един от най-големите производители на модули и чипове памет – Hynix Semiconductor съобщиха, че техните 40nm 2GB DDR3 DRAM модули и чипове са преминали успешно тестовете на Intel и са официално серифицирани за работа в техните системи. Списъка със сертифицираните модули включва самите 2GB DRAM чипове, 4GB DDR3 SO-DIMM и 2GB DDR3 UDIMM модули памет, всички работещи на 1333MHz при работно напрежение 1,5V.
„В момента потребителите пазара преминават все по-бързо от към по-висока плътност на паметта върху един модул с цел повишаване на общата производителност на наличните и бъдещи сървъри и настолни системи. Точно заради това имаме намерението да предложим най-добрите 1GB и 2GB решения на пазара с новите ни продукти.“ в казал г-н. Дж.Би. Ким (J.B. Kim), главен маркетинг директор на Hynix.
Според производителя, новите 40nm 2GB DRAM консумират 40% по малко ток отколкото произведените по 50nm технологичен процес DDR3 чипове и предлагат 60% повече годни чипове от една силициева подложка.
