10 nm тех. процеса на Intel, ще увеличи 2,7 пъти плътността на транзисторите спрямо 14 nm
В раздел: Новини от Denislav Slavchev (acdc) на 2.07.2018, 2,485 показвания
Производството на 10-нанометрови FinFET силициеви пластини на Intel се внедрява с по-бавно от очакваното темпо, но когато това стане, то може значително да увеличи плътността, с която ще разполагат дизайнерите на чипове на компанията, сочи технически доклад на Tech Insights. Изследователи отделиха кристала на процесора Core i3-8121U на Intel “Cannon Lake” от Lenovo Ideapad330 и го поставиха под електронен микроскоп.
В резюмето се споменават няколко подробности за 10 nm процеса. Най-напред това е постигането на 2.7-кратно увеличение на плътността на транзисторите спрямо текущия 14-нанометров процес, което дава възможност на Intel да напълни кристала с до 100.8 милиона транзистора на квадратен милиметър. Кристал с площ от 127 мм 2, който няма нищо друго в него, освен море от транзистори, може да побере 12,8 милиарда транзистора. 10 nm технологичният процес на Intel също използва технологията FinFET от трето поколение, като намалява минималната стъпка между гейта и сорса (CPP) на транзистора от 70 nm на 54 nm; и минимална стъпка на метализация от 52 nm на 36 nm. Също така в 10 nm технологията на Intel, се вижда, че е въведена метализация с кобалт в основните и закрепващите слоеве на силициевата подложка. Кобалтът се очертава като добра алтернатива на волфрама и медта като контактен материал между слоевете поради ниското му съпротивление при по-малки размери.
Източник: Techpowerup
1 Гого // 02.07.2018 в 14:03
Аре, сега интел ще се конкурират с производителите на батерии за тесли и други електрически каруци, за добиваният с детски каторжен труд кобалт.
Таковата, 2.7 пъти спестения силикон…ще доведе ли до 2.7 пъти по-ниски цени на процесорите на интел??
2 Даниел // 02.07.2018 в 18:25
Че защо трябва да ти намалят цената? :D
3 Йончо // 02.07.2018 в 20:12
Цената на всеки следващ тех. процес нараства с геометрична прогресия. За сравнение на 32nm имаме 1.16 млрд. на 216 кв.мм 4-ядрен, преведено това на 10нм се падат 10кв.мм или 22 пъти плътност. така че Интел искам си 22х4=88 ядрен процесор с 22 пъти по-мощно графично ядро от намиращото се в Санди бридж HD3000,. Къде е защо не го виждам. Вместо това 127 кв.мм са 2 ядрен с вградено видео. Защо нещо тея работи не се скалират както трябва. Щом 4 ядрен е 10 кв.мм. значи 40 ядрен е 100кв.мм с вградена графика на нивото на GTX1050Ti
4 nv // 02.07.2018 в 23:12
Те трябва да увеличат производителността на ядрата по 2-3 пъти, не просто плътността на транзисторите.
5 Гого // 03.07.2018 в 12:09
Йончо, не ми пука за цената на процеса. При всички случаи не нараства в геометрична прогресия. Не споря, че пълната разработка, ако се почва действително от нулата и внедряването са цифром по-високи от преди…Долара поевтинява в някаква степен с течение на времето и изглежда, все едно, че разходите нарастват…Предвид обаче ако посоченото числа на уплътняване е вярно. За процесори от различни поколения, но с идентичен брой транзистори, би следвало да има значително намаление на цената за модела произведен с по-новият технологичен процес. Но след зомби овцете – клиенти, са склонни да плащат колкото им поискат и дори сами се заемат с оправдаването на тези цени…Нямам думи.
6 Бай Ставри // 03.07.2018 в 14:57
На тях им трябва по-голям задник, за по-хубав ритник в него!