EETimes съобщават, че Intel е готов за производство на големи обеми продукти с вградена 22 nm FinFET базирана MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory). Технологията MRAM е енергонезависима памет, което означава, че запазва информация, дори при прекъсване на захранването. Погледнато от ъгъла на днешните разбирания, тази технология е по-близо до устройство за съхранение на данни, отколкото до RAM памет.
Вградената MRAM памет се счита за обещаваща технология за приложени, като например в SoC чиповете предназначени за „интернет на нещата“ (IoT). Погледнато по-общо, MRAM се развива като универсално, дългосрочно решение за памет, заменяйки както DRAM, така и NAND Flash паметта, тъй като мащабирането на възлите (Node), към все по-малки размери, с тези технологии става все по-трудно. MRAM обещава по-добро мащабиране на литографско ниво, с много по-високи нива на добив. Официален експеримент показва, че MRAM е в състояние да постигне 1 ns време за достъп, което е по-добро от понастоящем приетите теоретични ограничения за DRAM. Също така има несравнимо по-високи скорости на запис в сравнение с NAND flash паметта и консумацията много по-ниска от DRAM.
Инженерът Лигьонг Вей от Intel, който във вторник направи презентацията каза, че MRAM със своите текущи производствени характеристики дава възможност за 10-годишно съхранение на данните при 200 ° C и има работен ресурс по-голям от 10Е6 записващи цикъла и вероятност за грешката по-малка от 1Е12 цикъла. В допълнение към високата издръжливост, 22 нанометровата вградена MRAM технология може да се похвали и със стабилни високи добиви – 99.9%. Въпреки това, производството на устройствата изискват блокове за корекция на грешките, което ще увеличи размера и консумацията на дизайна.
Източник: ЕЕ Times
Какво означава 1Е06 записващи цикъла, това е само един милион. Нещо друго сигурно се има предвид.
https://static.techspot.com/images2/news/bigimage/2019/02/2019-02-21-image-2.png
Според сегашните възможности на Интел МRАМ, искат да го позиционират между оперативната памет и досегашните L-кешове. Досегашните L-кешоне, са от SRAM клетки L1-L3 и е-DRAM за L4. Това къде ще го слагат? Нещо като L5 ли? Поредният посредник на пътя на данните. Какво печелим – нищо. Какво губим, повече пари, щото никой няма да ти прибави нещо безплатно, повече латентност.
@Nichi Точно така. Това е – 10^6
Тази памет я виждам като заместник на FLASH паметта в микроконтролерите. Това има логика особено като се вземе предвид, че Intel се включиха с техен продукт в платформата Arduino.
E, значи все още не може да се използва вместо DRAM, ако има само толкова живот. Но вместо флаш става.
Еми, кой знае, може един ден да е ХДД и рам на едно.
„Ти глей ко стаа“, ако съумеят да го пробутат за РАМ.
„Технологията MRAM е енергонезависима памет, което означава, че запазва информация, дори при прекъсване на захранването.“
Краденето на класифицирана/лична/важна информация ще може да става дори и при изключен компютър. Чопнат ти компа, прочетат какво има в енергонезависимия РАМ и пей сърчице!
Не, благодаря!
Ми те са си го написали, че това е технология за SOC чипове. С други думи освен всичките входно-изходни интерфейси ще набият в чипа и харддиска. Приложението му е по-скоро за рутари, NAS-ове, телевизори и т.н., където 4-32MB са достатъчни за софтуера на устройството…