Пътна карта за производство на Intel от 2019 до 2029 г.

Пътна карта за производство на Intel от 2019 до 2029 г.

В раздел: Новини от на 12.12.2019, 2,211 показвания

 

Една от интересните новини по време на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) беше около новите и предстоящи технологии за производство на силициеви възли. Почти всяка сесия тази седмица обхващаше 7nm, 5nm и 3 nm процесите (както ги нарича индустрията). Това обаче, което никой не очакваше да бъде разкрито, е разширена пътна карта на предстоящите производствени процеси на Intel. Трябва да се отбележи, че слайдът представен на конференцията от партньора на Intel, ASML, е бил леко променен от първоначалния източник. ASML добавя анимация към слайда, така че долният ред дати да съответства на конкретни възли. Трябва да се отбележи, че корелацията, която ASML прави с точните наименования на възлите, не е “разтягане на локум”, което може да се види и от оригиналния слайд на Intel, представен през септември 2019 г.

Казват, че този слайд струва 1000 думи. Тогава ето 1000 думи за бъдещето на Intel

 

Слайдът на Intel, представен през септември

 

Това е оригиналният слайд на Intel, без да се описват подробно кои възли през кои години ще стартират. Обаче е достатъчно лесно да разберем, че всеки един от елементите в долния ред е следващият процесен възел, в противен случай +/++ няма смисъл.

ASML са приложили тези предположения към слайда, който беше представен в основните бележки на IEDM, но компанията не разкри, че са променили слайда.

 

Слайдът на Intel с наслоена анимация от ASML.

 

Нека да хвърлим поглед на някои ключови моменти.

1.4 nm през 2029г.

Intel очаква да премине на 2 годишен цикъл за своите технологични процеси, започвайки с 10 nm през 2019 г. и преминавайки към 7nm EUV през 2021 г. След това има промяна на технологичния процес на основния възел през 2023, 2025, 2027, 2029 г. Този последен възел е това, което ASML обобщава като “1.4 nm”. Това е първото споменаване на 1.4 nm в контекста на всеки свързан с Intel слайд. Ако този 1.4 nm възел е показателен, за каквато и да е действителна характеристика, то би бил еквивалент на 12 атома силиций.

Може би си струва да отбележим, че някои от разговорите в тазгодишния IEDM са за размери от порядъка на 0,3 nm на така наречените “2D self-assembly” материали, така че толкова малки размери не е нещо нечувано, но е нечувано за силиция. Очевидно с тези малки размери има много проблеми, които ще трябва да преодолеят Intel и неговите партньори.

“+”, “++” и обратно пренасяне
Между всеки технологичен възел, както Intel заяви преди време, ще има итеративни + и ++ версии, за да се извлече производителност от всеки технологичен процес. Единственото изключение от това е 10 nm възела, който вече е на 10+ nm, така че ще видим 10 ++ и 10 +++ съответно през 2020 и 2021 година. Intel вярват, че могат да направят това с едногодишна стъпка, но също така имат екипи, които се припокриват, за да гарантират, че един пълен процес на възел може да се припокрива с друг.

Интересният елемент на тези слайдове е споменаването на обратно пренасяне (Back Porting). Това е възможността чипът да бъде проектиран за един технологичен процес, но поради закъснение да бъде пренесен в по-стара версия „++“ в същата времева рамка.

На слайда се вижда, че Intel ще позволи всеки дизайн от първи род 7nm да може да бъде пренесен на 10 +++, всяка първа генерация 5nm дизайн може да бъде върнат обратно в 7 ++ и т.н. Може да се каже, че едва ли тази пътна карта ще бъде спазена толкова стриктна с датите – видяхме, че 10nm на Intel им отнема много време, така че да очакваме компанията да се движи с годишна стъпка на “+” актуализациите, заедно с двегодишната стъпка за основната технология, е доста оптимистично.

Трябва да се има предвид, че това не е първото споменаване за обратно пренасяне на дизайна, когато става дума за Intel. С настоящото закъснение на 10 nm технологичния процес на Intel, се носи слух, че някои от бъдещите микроархитектури на Intel, първоначално проектирани за 10nm (или 10+, 10 ++), могат всъщност да намерят своята реализация с 14 nm процес поради големия успех на тази технология.

Изследвания и разработки
Резонно е с развитието на технологичните процеси да има различни екипи, работещи върху всеки отделен процес. Този слайд показва, че Intel в момента разработва своите 10 +++ оптимизации, както и семейството на 7 nm. Идеята е, че актуализациите „+“ улавят леснодостъпните “плодове” от дизайнерска гледна точка на всяко поколение технологичен процес, а числото представлява пълното предимство на възлите. Интересното, което виждаме е, че 7 nm възела на Intel се базира на 10 ++, докато в бъдеще Intel вижда 5 nm да идва от базовия 7 nm дизайн, а 3 nm да идва от 5 nm. Няма съмнение, че някои от оптимизациите, които се въвеждат с всяка +/++ актуализация, ще се филтрират в бъдещите дизайни, както и когато са необходими.
В този слайд също виждаме, че възела на Intel, който би трябвало да се появи през 2023 г. е в етап на планиране. На тази конференция на IEDM се говореше много за 5 nm именно в тази времева рамка, така че някои от тези подобрения (като производство, материали, последователност и т.н.) в крайна сметка ще се окажат и в процеса на Intel в зависимост от това с кои дизайнерски бюра си партнира. Заслужава да се отбележи, че 5nm е посочен като възел от 2023 г., което съвпада с времето, когато ASML ще започне да продава своите EUV машини „High NA“. Трудно е да се каже отсега дали със сигурност High NA ще се използва при 5nm или 3nm възлите, тъй като не е ясно дали тази пътна карта на Intel е с правилните дати и компанията е в състояние да се придържа към тях.
Отвъд 2023 г. Intel в момента е в режим на намиране на пътища и изследвания. Както винаги, когато гледа толкова напред, Intel обмисля нови материали, нов дизайн на транзистори и други неща. На тази конференция на IEDM наблюдаваме много разговори около транзисторите, които се намират навсякъде, или като нано листове или нано проводници, така че без съмнение ще видим част от това, тъй като FinFET изчерпва своите възможности. TSMC все още използва FinFET за своя 5nm процес (7nm еквивалент на Intel), така че не би трябвало да се изненадваме, ако видим нещо като нано листове, след това и нано проводници (или дори хибридни дизайни), които да влизат в производствения стек на Intel.
Също заслужава да се отбележи, че въз основа на заглавието на този слайд следва, че Intel все още вярва в закона на Мур. Само не питай колко ще струва това.

Източник: Anandtech






Етикети: , , , ,



2 коментара

  1. 1 Хардуерист // 13.12.2019 в 09:37

    Фотошоп прави чудеса, така съм чувал да казват…

  2. 2 Hardwarr // 14.12.2019 в 04:09

    ASML прави чудеса. Всички главни ползват инструментите на ASML. Интел ТСМЦ Самсунг. 1,4нм предлага 64 пъти по-голяма плътност от 14нм реални 50х пъти е доста внушително като процесорна мощ. Но интел като стъпи на 7нм през 2021 може да откара до +++++++-+- няма гаранция разбира се.

Коментари: