Производството на полупроводници е труден процес. Често, когато се разработва нов възел, се въвеждат нови материали, които могат да са причини за някои проблеми с добива. 7 nm и по-малките възли, са доста трудни за производство поради размера си, тъй като транзисторите могат да бъдат негодни и от най-малкото количество примеси в силиция. Затова е нужно производителите да бъдат изключително внимателни и трябва да отделят повече време за разработването на нови възли. Според източници от индустрията на DigiTimes, има информация, че Samsung се бори със своя 5 nm EUV възел.
Тази злощастна новина идва, след като индустриалните източници на DigiTimes съобщават, че 5G чипсетите от следващо поколение на Qualcomm могат да бъдат засегнати, ако Samsung не подобри добивите си. Въпреки че няма посочена конкретна причина за лошите добиви, то е възможно да се окажат няколко – от всичко свързано с производственото оборудване, до силициеви примеси. Все още не знаем. Надяваме се, че Samsung ще може да разреши тези проблеми навреме, така че да не се налага на Qualcomm да прехвърля поръчките си на конкурентни фабрики и да портва дизайна си за нов процес.
Източник:Techpowerup
Ами да си останат на 7нм процеса и вместо да продължават да намаляват дебелината на транзисторите, да скъсат разстоянията помежду им. И без това тъкмо намаляването на тези размери почти не е пипано от „няколко“ „поколения“ литграфски процеси насам. При все че последният използваем засега процес на Самсунг е маркиран като „7нм“ гейтовете колко са дълги? Ако не се лъжа цели 54нм? Там има много какво да се съкращава. Ама наистина много.