Z-NAND на Samsung, ще се конкурира с Optane на Intel

Z-NAND на Samsung, ще се конкурира с Optane на Intel

В раздел: Новини от на 20.11.2017, 1,581 показвания

Все по-често се налага използването на големи обеми от данни, които са необходими за тежки изчислителни задачи. Данните се увеличават както по размер, така и по сложност, което води до необходимостта от нови начини за свързване на ресурсите за обработката им с хранилищата. 3D XPoint паметта, която е съвместна разработка на Intel и Micron е един начин за отстраняване на тесните места на компютърните системи при съхранението на данни, посредством значително редуциране на латентността. Samsung обаче разполагат с достатъчно ресурси, за да могат да представят алтернатива за нуждите на пазара. Като един от най-важните играчи в индустрията на NAND чипове изглежда, че компанията залага на Z-NAND паметта.
Z-NAND е разработка на Samsung и съвсем очаквано е нова интерпретация на познатата SLC (Single-Level Cell) NAND памет, със съответните подобрения на контролера, за постигане по-голям брой входно-изходни операции (IOPS), както при случаен, така и при последователен достъп. SLC технологията е добре известна и широко използвана на пазара на SSD устройства, въпреки че през последните години на него доминират основно технологии ориентирани към плътността на съхранение, както е MLC и сравнително новата TLC NAND. В опит да намали уравнението $/GB, Z-NAND е завръщане към корените на SLC паметта. Докато обръщенията на 3D XPoint понякога са с до 10 пъти по-ниска латентност (от порядъка на 10/10μs), то Z-NAND чупи бариерата до нива невиждани за NAND досега – 12-20/16μs.

Сравнявайки 750 GB Optane P4800X на Intel с предстоящото решение на Samsung (800GB, SZ985) виждаме, че Z-NAND има по-голям брой IOPS при случайно четене в сравнение с Optane на Intel (750K срещу 550K), но пък по-нисък брой (175K срещу 550K за Optane) при запис. Широчината на честотната лента при четене/запис е в полза на Z-NAND: тя осигурява 3.2 GB/s и при двата показателя, докато при Optane P4800X е съответно 2.4 GB/s и 2 GB/s, като издръжливостта между двете технологии трябва да е еквивалентна.

Източник: Techpowerup






Етикети: , , , , ,


3 коментара

  1. 1 nv // 20.11.2017 в 13:25

    Прекрасна конкуренция на 3D XPoint.

  2. 2 Гого // 20.11.2017 в 14:13

    Явно ширината на честотната лента, не съответства по никакъв начин на реалните скорости на работа на Z-NAND Това несъмнено е показано в броя входно/изходни операции, при които съотношението между четене/запис за разлика от ширината на честотната лента (ще)е не 1:1, а около 4.41:1. Т.е., колкото и да е реалната скорост на четене на Z-NAND, то реалната скорост на запис (ще)е около 4.41 пъти по-малка, поне в сегмента на работа с 4KB секторни оперативни.

  3. 3 Сашо // 20.11.2017 в 16:24

    Гого, IOPS е само за случаен достъп и там никой не постига максималната ширина на лентата. Дали са си 3.2ГБ последователни четене и запис, значи е толкова.

    Ако говорим за бази данни, където повече е четенето от писането, тогава Z-NAND-a ще е по-добро. Ако се пишат и четат данни последователно предимно, пак Z-NAND. Ако случайното писане преобладава и също ниската латентност е важна, тогава чак 3D там ще е по-добро.

    Като цяло ми изглежда, че в масовия случай Z-NAND-а ще е по-доброто решение.

Коментари: